加入日期	2017年07月13日	所屬地區(qū)	山西省	進(jìn)展階段	環(huán)評公示

正文內(nèi)容

項目名稱：第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目 

項目概況：第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目，建設(shè)地點位于中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所現(xiàn)有廠區(qū) 內(nèi)，利用現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3 層、4 層布置 SiC 粉料 合成、晶體生長生產(chǎn)線；同時，利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房布置 SiC 設(shè)備生產(chǎn)線。項目建設(shè)不新增二所占地面積。年產(chǎn) 100 臺（套）SiC 關(guān)鍵設(shè)備（SiC 單晶生長爐）；年產(chǎn)高 純 SiC 粉料 10 噸；年產(chǎn) 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 5 萬片；年 產(chǎn) 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 1 萬片。工程投資 46760 萬元， 職工人數(shù) 52 人。本項目預(yù)計 2017 年 8 月開工，在 2018 年 6 月投產(chǎn)。 

本項目主要建設(shè)內(nèi)容一覽表 
項目組成 內(nèi)容、規(guī)模 備注 
主體工程 
SiC 設(shè)備生產(chǎn)線 
本項目擬利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房（占地 6660m2），本項目僅新 
增立式、臥式加工中心等 20 余臺套設(shè)備，其余機(jī)加工設(shè)備為產(chǎn) 
品制造部搬至生產(chǎn)保障廠房，本項目設(shè)備布置在生產(chǎn)保障廠房 
內(nèi)的設(shè)備裝調(diào)區(qū)，以實現(xiàn) SiC 設(shè)備加工、部件組裝、調(diào)試的連 
續(xù)化生產(chǎn)線。 依托現(xiàn) 
有廠房，新增設(shè) 
SiC 粉料合 施設(shè)備 
成、晶體生長生產(chǎn)線 
依托現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3、4 層廠房（單層建筑面積 
1500m2，合計占地面積 3000m2）布置 SiC 粉料合成、晶體生長 
生產(chǎn)線。按功能分為粉料合成區(qū)、晶體生長區(qū)、擴(kuò)展實驗區(qū)和 
材料儲備區(qū)等，其中粉料合成區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 30 臺； 
晶體生長區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 70 臺以及晶體切割、研磨、 
清洗加工設(shè)備；擴(kuò)展實驗區(qū)主要布置相關(guān)測試儀器，對產(chǎn)品 SiC 
粉料、SiC 單晶襯底晶體性能進(jìn)行檢驗；材料儲備區(qū)主要作為原 
輔料、產(chǎn)品儲存使用。 
輔助工程 
純水制備 
新建 1 套 1.0m3/h 高純水制備系統(tǒng)，采用反滲透工藝，布置在 4# 
研發(fā)檢測中心 3 層輔助區(qū)。新建 
循環(huán)冷卻水系統(tǒng) 
新建 1 套 15m3/h 循環(huán)冷卻水系統(tǒng)（含 1 臺機(jī)力通風(fēng)冷卻塔和 3 
臺循環(huán)水泵），循環(huán)水量 18m3/h，冷卻水進(jìn)口溫度 28℃，出口 
溫度 35℃。冷卻塔布置在研發(fā)檢測中心北側(cè)。新建 
空壓機(jī)房 
利用空壓站現(xiàn)有 2 臺無油旋齒空氣壓縮機(jī)及配套的冷凍式干燥 
機(jī)，過濾器和儲氣罐，可滿足本項目使用需求。利舊 
通風(fēng)空調(diào) 
各廠房設(shè)通風(fēng)系統(tǒng)，換氣次數(shù)約 6～10 次/小時。此外，研發(fā)中 
心廠房新建 1 套中央空調(diào)，空調(diào)參數(shù)≤28°C，空調(diào)冷卻水循環(huán) 
同本工程循環(huán)冷卻水系統(tǒng)共用，循環(huán)水泵為 2 臺管道離心泵。新建 
環(huán)保工程 
廢氣 
處理設(shè)施 
在研發(fā)檢測中心 3 層晶體加工區(qū)的硫酸、氫氟酸和乙醇清洗槽上方 
設(shè)一套集氣罩（捕集效果為 100%），清洗槽揮發(fā)廢氣經(jīng)集氣罩和 
負(fù)壓抽風(fēng)管道至 1 座新建的酸霧吸收塔處理（吸收劑為 NaOH）。 
吸收塔對氫氟酸和硫酸霧的去除效率為 90%，凈化后的廢氣通過 
一根 15m 高的排氣筒排放，系統(tǒng)處理風(fēng)量為 2000m3/h。新建 
廢水處理設(shè)施 
本項目 SiC 晶體清洗廢水、酸霧吸收塔廢水送 1 座新建廢水處理站 
處理。廢水處理站設(shè)計能力 16m3/d，采用 PH 調(diào)節(jié)池+Ca（OH）2 
中和+絮凝沉淀處理工藝，處理后的廢水達(dá)標(biāo)排入市政污水管網(wǎng)。新建 
危廢暫存間 
依托二所現(xiàn)有危廢暫存間，對本項目產(chǎn)生的危險廢物進(jìn)行分類 
收集儲存，并委托有資質(zhì)單位妥善處置。利舊 
依托工程 
辦公生活 本項目辦公、生活設(shè)施均依托現(xiàn)有工程設(shè)施。利舊 
供電 依托廠區(qū)現(xiàn)有的變電室，本項目新增配電設(shè)施。 
供暖 利用廠區(qū)現(xiàn)有集中供熱管網(wǎng)接入。 
供水 依托和平南路市政供水管網(wǎng)。 
排水 
依托廠區(qū)現(xiàn)有的污水收集管道，處理后的廢水排入和平南路市 
政污水管網(wǎng)，最終進(jìn)入晉陽污水處理廠處理。 

本工程主要生產(chǎn)設(shè)備一覽表 
序號 車間 生產(chǎn)工序 設(shè)備名稱 型號及參數(shù)數(shù)量（臺/套）備注 
1生產(chǎn)保障廠房 
機(jī)加工及設(shè)備組裝 
移動式數(shù)控平面磨床 SG4080NC2 1 新增 
2 立式加工中心 MXR-460V 4 新增 
3 數(shù)控車床 GS200/66plus 1 新增 
4 立式數(shù)控車床 MTS600L 1 新增 
5 數(shù)控車床 QSM300/1500 1 新增 
6 臥式加工中心 MAR-630H 1 新增 
7 立式加工中心 MXR-560V 1 新增 
8 加工中心 VTC-200BN 4 新增 
9 車削加工中心 GS200M 1 新增 
10 龍門加工中心 GMC1530r1 1 新增 
11 高速精密車床 HPL 2 新增 
12 普通數(shù)顯車床 BJ1630GD 1 新增 
13 普通數(shù)顯車床 J1CX616 1 新增 
14 數(shù)控板料折彎機(jī) PBB-110/3100 1 利用 
產(chǎn)品制造部現(xiàn)有設(shè)備 
15 數(shù)控閘式剪板機(jī) LGK-13X2500 1 
16 激光切割機(jī) FOM23015NT 1 
17 交流弧焊機(jī) KC-5005 1 
18 氬弧焊機(jī) WSE-315 1 
19 氬弧焊機(jī) WS300S 1 
20研發(fā)檢測中心(3 層/4 層)粉料合成 SiC 單晶生長爐 非標(biāo)自制 30 新增 
21晶體生長SiC 單晶生長爐 非標(biāo)自制 70 新增 
22 快速升溫?zé)崽幚頎t 1700℃；10℃/s 3 新增 
23 晶體退火爐真空度：<1x10^-2Pa，退火溫度：>1200 度3 新增 
24晶體加工切割 
金剛石多線切割機(jī) 
MWS-612DR，速度1000m/min 1 新增 
25 晶圓綁定機(jī)EVG 560HBL；溫度>600℃；1 新增 
26 晶體滾圓機(jī)Scc-150, 精度：±0.1mm2 新增 
27 倒角機(jī)外圓磨削線速度：2500m/min1 新增 
28 研磨雙面研磨機(jī)Usp-22b，最大 6 英寸2 新增 
29 端面研磨機(jī) Scy-150，2-6 英寸 2 新增 
30 拋光雙面拋光機(jī) Usp-20bp，6 英寸 2 新增 
31 化學(xué)機(jī)械拋光機(jī) Srpm-19a，55rpm 2 新增 
32清洗 
晶圓清洗機(jī) 
日本 SCC,SWS-1000 
水流量 1.5L/min；氮 
氣烘干溫度：300℃1 新增 
33 雙面刷片清洗 日本 SCC, SWS-200 3 新增 
34 全自動甩干機(jī) 2500rpm 2 新增 
35實驗檢驗 
全自動晶片定向儀 型號:2991F2 1 新增 
36 自動表面缺陷分析系統(tǒng) CANDELA CS20 1 新增 
37 表面顆粒度測試儀 Surfscan 6420 1 新增 
38 表面電阻率測試儀 LEI1510RP 1 新增 
39 體式顯微鏡 Leica M205 A 型 1 新增 
40 平坦度測試儀 FM-200 1 新增 

本項目主要經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)表 
序號 指 標(biāo) 單位 數(shù)量 備注 
1 產(chǎn)品方案 
1.1 SiC 關(guān)鍵設(shè)備 臺/a 100 
1.2 高純 SiC 粉料 t/a 15 產(chǎn)品 10t/a，自用 5t/a 
1.3 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 片/a 50000 
1.4 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 片/a 10000 
2 主要原料消耗指標(biāo) 
2.1 鋼材 t/a 1300 機(jī)加年用量 
2.2 碳粉 t/a 5.2 純度>99.999% 
2.3 硅粉 t/a 11.0 純度>99.999% 
2.4 籽晶 6 寸 N 型 1200 片/a 
2.5 籽晶 4 寸 N 型 500 片/a 
3 主要輔料消耗指標(biāo) 
3.1 石墨坩堝 套 920 用于粉料合成、晶體生長 
3.2 高純氬氣 瓶/a 800 50L 鋼瓶 
3.3 高純氫氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶 
3.4 高純氮氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶 
3.5 保溫材料 套 400 高純石墨氈 
3.6 金剛石單晶微粉 t/a 2.4 1μm 
3.7 金剛石多晶微粉 t/a 1.5 1μm 
3.8 粗拋光布 片/a 3000 
3.9 精拋光布 片/a 100 
3.10 拋光游星輪 片/a 3000 
3.11 吸附墊 片/a 3000 
3.12 晶圓盒 盒/a 60000 4 寸，6 寸 
3.13 金剛石粉 Kg/a 750 
3.14 MOS 硫酸 L/a 2400 15L/槽，1~2d 更換 1 槽 
3.15 MOS 氫氟酸 L/a 160 1L/槽，1~2d 更換 1 槽 
3.16 MOS 無水乙醇 L/a 1600 10L/槽，1~2d 更換 1 槽 
3.17 拋光液 L/a 54000 
3.18 金剛石切割線 km/a 21000 線徑 0.25mm 
4 總投資 萬元 46760 
4.1 環(huán)保投資 萬元 81.5 
5 全廠定員 人 52 現(xiàn)有職工抽調(diào)解決 

建設(shè)單位：中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所